激光退火技术主要用于修复离子注入损伤的半导体材料，特别是硅。传统的加热退火技术是把整个晶圆放在真空炉中，在一定的温度（一般是300-1200℃）下退火10-60分钟。这种退火方式并不能完全消除缺陷，高温却导致材料性能下降，掺杂物质析出等问题。于是自上世纪末以来，激光退火的研究非常活跃，研发出了毫秒级脉冲激光退火、纳秒级脉冲激光退火和高频调Q开关脉冲激光退火等多种激光退火方式。近些年来，激光退火已在国内外取得了一些成熟的应用。

主要优势

(1)加热时间短，能够获得高浓度的掺杂层；

(2)加热局限于局部表层，不会影响周围元件的物理性能；

(3)能够能到半球形的很深的接触区；

(4)由于激光束可以整形到非常细，为微区薄层退火提供了可能。